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申请/专利权人：华中科技大学
摘要：本发明涉及一种Cu掺杂的P型MoS2同质PN结器件、制备方法，属于半导体薄膜材料技术领域。本发明同质PN结器件包括硅衬底、SiO2氧化层、Cu掺杂的P型MoS2薄膜和N型MoS2薄膜。制备方法为：将硫源和钼源加入到溶剂中，再加入铜盐，得到前驱体溶液，采用激光辐照前驱体溶液制备Cu掺杂P型MoS2薄膜与衬底上表面接触，再制备N型MoS2薄膜与P型MoS2薄膜接触，由此形成MoS2同质PN结。本发明实现了薄膜生长与掺杂一步完成，使用该方法制备的P型MoS2薄膜均匀性良好、结晶度得到良好提升；实现了无需转移制备PN结，采用同质结构，界面态少。
主权项：1.一种Cu掺杂的P型MoS2同质PN结器件，其特征在于，所述同质PN结器件包括硅衬底、SiO2氧化层、Cu掺杂的P型MoS2薄膜、N型MoS2薄膜；所述SiO2氧化层位于硅衬底上；所述Cu掺杂的P型MoS2薄膜与SiO2氧化层的上表面接触；所述N型MoS2薄膜与Cu掺杂的P型MoS2薄膜的上表面接触；所述Cu掺杂的P型MoS2薄膜与所述N型MoS2薄膜上分别沉积有电极A和电极B，且电极A和电极B相互不接触。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华中科技大学 一种Cu掺杂的P型MoS2同质PN结器件、制备方法
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