龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：中国科学院半导体研究所
摘要：本发明提供一种SiGe超薄超晶格结构的外延方法，包括：步骤S1，提供衬底，对该衬底进行预处理；步骤S2，调节该衬底的温度至第一预设温度后，在该衬底上以第一预设速率沉积第一预设厚度的Si缓冲层；步骤S3，调节该衬底的温度至第二预设温度后，在该Si缓冲层上以第二预设速率沉积第二预设厚度的Ge外延层；步骤S4，调节该衬底的温度至第三预设温度后，在该Ge外延层上以第三预设速率沉积第三预设厚度的Si外延层；步骤S5，以第一预设次数重复步骤S3～S4，得到外延的超薄超晶格结构。该方法拥有原子层级别的厚度控制能力，并且可以极大程度地限制SiGe之间的互扩散行为，实现了高质量SiGe超薄超晶格结构的外延，为硅基量子计算提供了良好的材料平台。
主权项：1.一种SiGe超薄超晶格结构的外延方法，其特征在于，包括：步骤S1，提供衬底，对所述衬底进行预处理；步骤S2，调节所述衬底的温度至第一预设温度后，在所述衬底上以第一预设速率沉积第一预设厚度的Si缓冲层；步骤S3，调节所述衬底的温度至第二预设温度后，在所述Si缓冲层上以第二预设速率沉积第二预设厚度的Ge外延层；步骤S4，调节所述衬底的温度至第三预设温度后，在所述Ge外延层上以第三预设速率沉积第三预设厚度的Si外延层；步骤S5，以第一预设次数重复步骤S3～步骤S4，得到外延的超薄超晶格结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院半导体研究所 Si/Ge超薄超晶格结构外延方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号