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申请/专利权人：上海大学
摘要：本发明涉及一种3D‑EBSD连续截面数据的层间对中方法及设备，该方法包括以下步骤：步骤S1，在重建后的3D‑EBSD数据中获取两侧晶粒间具有∑3取向关系的晶界，即∑3晶界；步骤S2，对∑3晶界进行三维空间的平面拟合，获得最佳拟合平面；步骤S3，选取“潜在的共格∑3晶界”；步骤S4，线性平移3D‑EBSD显微组织中构成∑3晶界的所有三角元质心点，获得最佳平移距离，并计算“潜在的共格∑3晶界”的MAB值，其中MAB值为最佳拟合面与{111}{111}晶面之间最小夹角的加权平均值；步骤S5，当MAB值最小时，“潜在的共格∑3晶界”的晶界面已经尽可能平行于两侧晶粒的{111}{111}晶面，实现3D‑EBSD连续截面数据的层间对中。与现有技术相比，本发明具有实现多层连续2D‑EBSD截面的对中以及提高精确度等优点。
主权项：1.一种3D-EBSD连续截面数据的层间对中方法，其特征在于，该方法用于含有共格∑3晶界材料的3D-EBSD连续截面数据的层间对中，所述方法包括以下步骤：步骤S1，在重建后的3D-EBSD数据中获取两侧晶粒间具有∑3取向关系的晶界，即∑3晶界；步骤S2，对∑3晶界进行三维空间的平面拟合，获得最佳拟合平面；步骤S3，选取“潜在的共格∑3晶界”；步骤S4，线性平移3D-EBSD显微组织中构成∑3晶界的所有三角元质心点，获得最佳平移距离，并计算“潜在的共格∑3晶界”的MAB值，其中MAB值为最佳拟合平面与晶界两侧晶粒的{111}{111}晶面之间最小夹角的加权平均值；步骤S5，当MAB值最小时，“潜在的共格∑3晶界”的晶界面已经尽可能平行于两侧晶粒的{111}{111}晶面，实现3D-EBSD连续截面数据的层间对中。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海大学 一种3D-EBSD连续截面数据的层间对中方法及设备
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