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氧化镓光电探测器及制备方法 

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申请/专利权人:中国科学技术大学

摘要:本发明提供了一种氧化镓光电探测器及制备方法,涉及光电探测技术领域。该探测器结构由下至上依次包括:衬底、绝缘层、电荷存储层、氧化镓吸光层;漏极和源极设置在氧化镓吸光层的两端;漏极、源极和氧化镓吸光层通过欧姆接触方式,在外加电场的作用下形成回路;氧化镓吸光层用于对紫外光产生光响应,生成光生载流子,在回路中形成光电流;电荷存储层,设置在绝缘层与氧化镓吸光层之间的接触界面上,用于在栅极施加正电压的情况下,通过捕获并存储氧化镓吸光层中的自由载流子中的自由电子,以抑制暗电流;其中,暗电流是基于在未被紫外光照射的情况下的氧化镓吸光层中的自由载流子形成的;衬底,设置为栅极。

主权项:1.一种氧化镓光电探测器,其特征在于,由下至上依次包括:衬底、绝缘层、电荷存储层、氧化镓吸光层;漏极和源极设置在所述氧化镓吸光层的两端;所述漏极、所述源极和所述氧化镓吸光层通过欧姆接触方式,在外加电场的作用下形成回路;所述氧化镓吸光层用于对紫外光产生光响应,生成光生载流子,在所述回路中形成光电流;所述电荷存储层,设置在所述绝缘层与所述氧化镓吸光层之间的接触界面上,用于在栅极施加正电压的情况下,通过捕获并存储所述氧化镓吸光层中的自由载流子中的自由电子,以抑制暗电流;其中,所述暗电流是基于在未被紫外光照射的情况下的所述氧化镓吸光层中的自由载流子形成的;所述衬底,设置为所述栅极。

全文数据:

权利要求:

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