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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：本公开涉及鳍式场效应晶体管器件及其形成方法。一种形成半导体器件的方法包括：在突出得高于衬底的鳍之上形成栅极结构；邻近所述栅极结构、在所述鳍之上形成源极漏极区域；围绕所述栅极结构、在所述源极漏极区域之上形成层间电介质ILD层；在所述ILD层中形成开口以暴露所述源极漏极区域；在所述源极漏极区域之上的所述开口中依次形成硅化物区域和阻挡层，其中，所述阻挡层包括氮化硅；降低所述阻挡层的暴露于所述开口的表面部分中的氮化硅的浓度；在进行所述降低之后，在所述阻挡层上形成晶种层；以及在所述晶种层上形成导电材料以填充所述开口。
主权项：1.一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：在突出得高于衬底的鳍之上形成栅极结构；邻近所述栅极结构、在所述鳍之上形成源极漏极区域；围绕所述栅极结构、在所述源极漏极区域之上形成层间电介质ILD层；在所述ILD层中形成开口以暴露所述源极漏极区域；在所述源极漏极区域之上的所述开口中依次形成硅化物区域和阻挡层，其中，所述阻挡层包括氮化硅；降低所述阻挡层的暴露于所述开口的表面部分中的氮化硅的浓度；在进行所述降低之后，在所述阻挡层上形成晶种层；以及在所述晶种层上形成导电材料以填充所述开口。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 鳍式场效应晶体管器件及其形成方法
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