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申请/专利权人：无锡新洁能股份有限公司

摘要：本发明涉及一种高深宽比的超结功率半导体结构及制造方法，包括漏极金属、位于漏极金属上的第一导电类型单晶硅衬底及位于第一导电类型单晶硅衬底上的第一导电类型第一单晶硅外延层，在所述第一导电类型第一单晶硅外延层内设置第二导电类型柱，所述第二导电类型柱由掺杂了第二导电类型杂质的导电多晶硅形成，本发明能够消除第二导电类型柱内的填充间隙，增强填充性能，改善器件的漏电问题，提升器件的可靠性。

主权项：1.一种高深宽比的超结功率半导体结构的制造方法，其特征在于，所述高深宽比的超结功率半导体结构，包括漏极金属（1）、位于漏极金属（1）上的第一导电类型单晶硅衬底（2）及位于第一导电类型单晶硅衬底（2）上的第一导电类型第一单晶硅外延层（3），在所述第一导电类型第一单晶硅外延层（3）内设置第二导电类型柱（4），在相邻的第二导电类型柱（4）之间设置第一导电类型单晶硅柱（5），在所述第二导电类型柱（4）的上方设有第二导电类型单晶硅体区（7），在所述的第二导电类型单晶硅体区（7）内设有第一导电类型单晶硅源区（8）和第二导电类型单晶硅源区（13），在第一导电类型单晶硅柱（5）的上方设有栅氧层（9），在所述栅氧层（9）的上方设有栅极多晶硅（10），在所述栅极多晶硅（10）以及第二导电类型单晶硅体区（7）的上方设有绝缘介质层（11），所述绝缘介质层（11）的表面覆盖源极金属（12），所述源极金属（12）通过绝缘介质层（11）内的通孔与第一导电类型单晶硅源区（8）、第二导电类型单晶硅源区（13）欧姆接触，其特征在于，所述第二导电类型柱（4）由掺杂了第二导电类型杂质的导电多晶硅形成；所述第二导电类型柱（4）与第二导电类型单晶硅体区（7）之间设有导电单晶硅阱区（6），所述导电单晶硅阱区（6）由掺杂了导电杂质的单晶硅形成；制造方法包括以下步骤：步骤一：在第一导电类型单晶硅衬底（2）上形成第一导电类型第一单晶硅外延层（3），然后选择性刻蚀出深沟槽；步骤二：淀积第二导电类型多晶硅，将步骤一中的深沟槽填充满；步骤三：研磨去除掉第一导电类型第一单晶硅外延层（3）上方的第二导电类型多晶硅，然后刻蚀深沟槽内部分的第二导电类型多晶硅，形成第二导电类型柱（4）；步骤四：在器件表面生长导电外延层，将深沟槽彻底填满；步骤五：研磨去除掉第一导电类型第一单晶硅外延层（3）上方的导电外延层；步骤六：在导电单晶硅阱区（6）内选择性的注入第二导电类型杂质，退火后形成第二导电类型单晶硅体区（7）；步骤七：在第一导电类型第一单晶硅外延层（3）和第二导电类型单晶硅体区（7）上方形成栅氧层（9）；步骤八：淀积导电多晶硅；步骤九：选择性刻蚀导电多晶硅，形成栅极多晶硅（10），然后选择性注入第一导电类型杂质，激活后形成第一导电类型单晶硅源区（8）；步骤十：淀积绝缘介质层（11）；步骤十一：选择性刻蚀绝缘介质层（11）与半导体，形成通孔，选择性注入第二导电类型杂质，激活后形成第二导电类型单晶硅源区（13）；步骤十二：形成源极金属（12）和漏极金属（1）。

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