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申请/专利权人：太原工业学院
摘要：本发明属于纳米材料制备技术领域，具体涉及一种纳米层状二氧化硅及其制备方法和应用。本发明通过均匀沉淀‑晶化合成前驱体，再通过酸化和干燥制备纳米层状二氧化硅；在均匀沉淀阶段，酸性硅溶胶中的二氧化硅和“硬模板”氢氧化铜生成硅酸铜晶种；在晶化阶段，硅酸铜晶种逐渐长大形成层状硅酸铜，由于氢氧化铜的姜泰勒效应，致使层状硅酸铜在生长过程中逐渐发生卷曲，形成特殊的卷曲层状硅酸铜硅晶体；然后，通过酸化除去“硬模板”氢氧化铜，不仅可进一步形成丰富的纳米孔道结构，而且在氢氧化铜脱除过程，会形成大量的活性Si‑OH基团，活性位点多。
主权项：1.一种纳米层状二氧化硅，所述纳米层状二氧化硅包括层叠的特殊层状卷曲结构；所述特殊层状卷曲结构的层间形成层间孔道；所述特殊层状卷曲结构的层内形成层内孔道。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 太原工业学院 一种纳米层状二氧化硅及其制备方法和应用
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