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申请/专利权人：全芯智造技术有限公司
摘要：本公开的实施例涉及用于OPC模型的校准方法、电子设备及存储介质。该方法包括：基于确定的仿真的设计版图中的各个测试图形的信号值与预定信号阈值的比较确定各测试图形的仿真结果；确定各测试图形的光刻图形的量测结果；基于各仿真结果分别与量测结果的比较确定成本函数的值，成本函数中包括与系数相关的惩罚项，该项用于由OPC模型选择的系数；响应于成本函数的值在预定范围内且OPC模型满足规避过拟合的预定规范，将OPC模型确定为最优模型。本公开的技术方案能够有效规避过拟合的发生，改善OPC模型的仿真精度。
主权项：1.一种用于光学邻近校正模型的校准方法，包括：基于所确定的仿真的设计版图中的各个测试图形的信号值与预定信号阈值的比较分别确定各个所述测试图形的仿真结果；分别确定各个所述测试图形在晶圆上形成的光刻图形的量测结果；基于各个所述仿真结果分别与相应的所述量测结果的比较确定成本函数的值，其中所述成本函数中包括与系数相关的惩罚项，所述惩罚项用于由光学邻近校正模型选择的所述系数；以及响应于所述成本函数的值在预定范围内并且所述光学邻近校正模型满足规避过拟合的预定规范，将所述光学邻近校正模型确定为最优模型。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 全芯智造技术有限公司 用于OPC模型的校准方法、电子设备及存储介质
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