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申请/专利权人：株式会社迪思科
摘要：本发明提供贴合晶片的加工方法，能够在不损伤贴合晶片的情况下高效地去除倒角部。贴合晶片的加工方法包含如下的工序：改质层形成工序，将对于第一晶片具有透过性的波长的激光光线的聚光点FP从第一晶片的背面定位于第一晶片的内部而向第一晶片照射激光光线LB从而形成改质层，并且形成从改质层伸展并沿着接合层向外周延伸的裂纹；以及磨削工序，将第一晶片的背面磨削而薄化。在改质层形成工序中，从第一晶片的外周朝向内侧在厚度方向上形成多个改质层，连接多个改质层而得的线朝向第一晶片2的外周形成30度～80度的俯角，利用裂纹连结多个改质层而形成将倒角部去除的起点。
主权项：1.一种贴合晶片的加工方法，该贴合晶片是通过接合层将在正面上具有器件区域以及围绕该器件区域的外周剩余区域的第一晶片的该正面与第二晶片贴合而成的，该器件区域形成有多个器件，该外周剩余区域在最外周形成有倒角部，其中，该贴合晶片的加工方法具有如下的工序：改质层形成工序，将对于该第一晶片具有透过性的波长的激光光线的聚光点从该第一晶片的背面定位于该第一晶片的内部而向该第一晶片照射该激光光线从而形成改质层，并且形成从该改质层伸展并沿着该接合层向外周延伸的裂纹；以及磨削工序，在实施了该改质层形成工序之后，利用卡盘工作台对该第二晶片侧进行保持，将该第一晶片的背面磨削而薄化，在该改质层形成工序中，从该第一晶片的外周朝向内侧在厚度方向上形成多个该改质层，连接多个该改质层而得的线朝向该第一晶片的外周形成30度～80度的俯角，利用裂纹连结多个该改质层而形成将该倒角部去除的起点。
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