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磁性随机存取存储器结构 

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申请/专利权人:联华电子股份有限公司

摘要:本发明公开一种磁性随机存取存储器结构,包含第一介电层;底部电极层,设置于该第一介电层上;自旋轨道耦合层,设置于该底部电极层上;磁性隧道结MTJ元件,设置在该自旋轨道耦合层上;顶部电极层,设置在该MTJ元件上;保护层,围绕该MTJ元件和该顶部电极层,该保护层遮盖该自旋轨道耦合层;以及间隔层,围绕该掩模层与该保护层。

主权项:1.一种磁性随机存取存储器结构,包含:基底;第一介电层,设置于该基底上;第一导通孔和邻近该第一导通孔的第二导通孔,嵌入该第一介电层中;底部电极层,设置于该第一介电层上,其中该底部电极层电连接该第一导通孔与该第二导通孔;自旋轨道耦合层,设置于该底部电极层上;磁性隧道结MTJ元件,设置在该自旋轨道耦合层上;顶部电极层,设置在该磁性隧道结元件上;氮化物保护层,包围该磁性隧道结元件和该顶部电极层,该氮化物保护层遮盖该自旋轨道耦合层;以及氮化物间隔层,环绕该氮化物保护层。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 联华电子股份有限公司 磁性随机存取存储器结构

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