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申请/专利权人：北方工业大学;粤港澳大湾区(广东)量子科学中心
摘要：本发明提供一种Y掺杂HfO2稀磁半导体薄膜制备方法及自旋电子器件，方法包括：将Y掺杂HfO2靶材放置在射频装置对应的射频靶位置处；将钇稳定氧化锆衬底固定在衬底固定平台上；通过射频装置对Y掺杂HfO2靶材预溅射指定时长；确定Y掺杂HfO2靶材的辉光情况，在辉光情况指示辉光稳定的情况下，通过射频装置对Y掺杂HfO2靶材进行正式溅射，在室温下溅射预设溅射时长，将Y掺杂HfO2靶材上的材料溅射到钇稳定氧化锆衬底上，得到Y掺杂HfO2稀磁半导体薄膜。能够解决使用传统的稀磁半导体薄膜制备的电子器件存在性能和稳定性较差的问题；提高稀磁半导体薄膜制备的自旋电子器件的性能和稳定性。
主权项：1.一种Y掺杂HfO2稀磁半导体薄膜制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：将Y掺杂HfO2靶材放置在射频装置对应的射频靶位置处；将钇稳定氧化锆衬底固定在衬底固定平台上；通过所述射频装置对所述Y掺杂HfO2靶材预溅射指定时长；确定所述Y掺杂HfO2靶材的辉光情况，在所述辉光情况指示辉光稳定的情况下，通过所述射频装置对所述Y掺杂HfO2靶材进行正式溅射，在室温下溅射预设溅射时长，将所述Y掺杂HfO2靶材上的材料溅射到所述钇稳定氧化锆衬底上，得到Y掺杂HfO2稀磁半导体薄膜。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北方工业大学 粤港澳大湾区(广东)量子科学中心 Y掺杂HfO2稀磁半导体薄膜制备方法及自旋电子器件
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