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申请/专利权人：苏州晶湛半导体有限公司
摘要：本发明提供了一种复合衬底、半导体结构及复合衬底的制备方法，复合衬底包括单晶AlN，位于单晶AlN底部的支撑基板以及过渡层，过渡层位于单晶AlN和支撑基板之间，过渡层包括氧元素；半导体结构复合衬底以及位于复合衬底上的外延结构；本实施例提供的复合衬底中位于单晶AlN底部的支撑基板可以对单晶AlN起到支撑作用以间接增加单晶AlN的机械强度，且支撑基板对单晶AlN起应力调控作用，降低单晶AlN在后续外延过程中翘曲的程度，避免裂片或碎片现象产生。
主权项：1.一种复合衬底，其特征在于，包括：单晶AlN3；位于所述单晶AlN3底部的支撑基板1；以及过渡层2，所述过渡层2位于所述单晶AlN3和所述支撑基板1之间，所述过渡层2包括氧元素。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 苏州晶湛半导体有限公司 一种复合衬底、半导体结构及复合衬底的制备方法
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