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申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
摘要：本公开实施例提供了一种灵敏放大器及其控制方法、存储器，该灵敏放大器包括：感测放大电路，包括第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管；偏移消除电路，电连接所述感测放大电路，所述偏移消除电路用于对所述第一NMOS晶体管的栅极电容和所述第二NMOS晶体管的栅极电容充电；隔离电路，电连接所述感测放大电路、第一位线和第二位线，所述隔离电路用于导通所述第一NMOS晶体管的栅极电容与所述第二位线，以及导通所述第二NMOS晶体管的栅极电容与所述第一位线，以实现电荷共享。
主权项：1.一种灵敏放大器，其特征在于，包括：感测放大电路，包括第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管；偏移消除电路，电连接所述感测放大电路，所述偏移消除电路用于对所述第一NMOS晶体管的栅极电容和所述第二NMOS晶体管的栅极电容充电；隔离电路，电连接所述感测放大电路、第一位线和第二位线，所述隔离电路用于导通所述第一NMOS晶体管的栅极电容与所述第二位线，以及导通所述第二NMOS晶体管的栅极电容与所述第一位线，以实现电荷共享。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长鑫存储技术有限公司 灵敏放大器及其控制方法、存储器
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