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申请/专利权人：上海应用技术大学
摘要：本发明涉及近红外长余辉荧光粉制备领域，涉及一种Cr3+掺杂的石榴石结构基质近红外长余辉发光材料及其制备与应用，具有以下化学通式：A1‑cZncB2Ga4‑4x‑4yC4yGe1‑zDzO12:xCr3+，0≤y≤0.5，0≤z≤0.5，0≤c≤0.5，其中，0.1at％≤x≤20at％，A为第二主族元素中的至少一种，B为稀土元素中的至少一种，C包括Al或In的三价离子，D包括Si、Ti或Zr的四价离子，发光中心为Cr3+。与现有技术相比，本发明具有通过掺杂不同价态的离子调控材料的余辉特性和发光光谱，使其具有更好的性能，可广泛用于医药领域、军事领域等优点。
主权项：1.一种Cr3+掺杂的石榴石结构基质近红外长余辉发光材料，其特征在于，具有以下化学通式：A1-cZncB2Ga4-4x-4yC4yGe1-zDzO12:xCr3+，0≤y≤0.5，0≤z≤0.5，0≤c≤0.5，其中，0.1at％≤x≤20at％，A为第二主族元素中的至少一种，B为稀土元素中的至少一种，C包括Al或In的三价离子，D包括Si、Ti或Zr的四价离子，发光中心为Cr3+。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海应用技术大学 一种Cr3+掺杂的石榴石结构基质近红外长余辉发光材料及其制备与应用
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