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申请/专利权人：华为技术有限公司
摘要：本申请实施例提供一种存储阵列及其制备方法、存储器、电子设备，涉及半导体存储技术领域，用于提高存储器的存储密度。存储器例如可以是磁阻式存储器，磁阻式存储器包括存储阵列和控制器。存储阵列包括：多个存储单元；多个存储单元中的每个存储单元包括磁性隧穿结。磁性隧穿结包括：第一电极、反铁磁层以及第二电极，反铁磁层设置在第一电极和第二电极之间；其中，反铁磁层的材料包括二维层状反铁磁材料。适用于边缘计算设备的存储相关场景中。
主权项：1.一种存储阵列，其特征在于，包括：多个存储单元；所述多个存储单元中的每个所述存储单元包括磁性隧穿结；所述磁性隧穿结包括：第一电极和第二电极；反铁磁层，设置在所述第一电极和所述第二电极之间；其中，所述反铁磁层的材料包括二维层状反铁磁材料。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华为技术有限公司 存储阵列及其制备方法、存储器、电子设备
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