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申请/专利权人：杭州纤纳光电科技有限公司

摘要：本发明涉及一种新型叠层钙钛矿光电组件，包括上半器件、中间器件和下半器件，上半器件包括上基底、上导电极、上复合传输层、上隔离层和上隔断层，下半器件包括下基底、下导电极、下复合传输层、下隔离层和下隔断层，中间器件包括第一钙钛矿层、中间第一复合传输层、复合电极、中间第二复合传输层、第二钙钛矿层和中间隔断层，上基底、上导电极和上复合传输层分别与下基底、下导电极和下复合传输层相对于中间器件上下对称设置，每个上隔离层分别对应地与每个下隔断层相对于中间器件上下对称。本发明还公开该光电组件的制备方法。本发明提高钙钛矿光电组件的稳定性，具有工艺简单，易于大面积生产等特点。

主权项：1.一种新型叠层钙钛矿光电组件，其特征在于，包括依次上下叠加在一起的上半器件、中间器件和下半器件，上半器件包括上基底、上导电极、上复合传输层、多个上隔离层和多个上隔断层，下半器件包括下基底、下导电极、下复合传输层、多个下隔离层和多个下隔断层，中间器件包括第一钙钛矿层、中间第一复合传输层、复合电极、中间第二复合传输层、第二钙钛矿层和多个中间隔断层，其中，下基底位于最底部，下导电极设置在下基底之上，下复合传输层位于下导电极与钙钛矿层之间，下复合传输层包括位于同一层且相互间隔设置的多个下电子传输层和多个下空穴传输层，相邻的下电子传输层和下空穴传输层分别被下隔离层或下隔断层间隔开，相邻的下隔离层和下隔断层分别被下电子传输层或下空穴传输层间隔开，每个下隔离层分别设置在下导电极与中间器件之间，每个下隔断层分别设置在下基底与中间器件之间，第一钙钛矿层、中间第一复合传输层、复合电极、中间第二复合传输层和第二钙钛矿层依次从上往下设置，第二钙钛矿层设置在下半器件的表面，中间第一复合传输层包括位于同一层且相互间隔设置的多个中间第一电子传输层和多个中间第一空穴传输层，中间第二复合传输层包括位于同一层且相互间隔设置的多个中间第二电子传输层和多个中间第二空穴传输层，上复合传输层包括位于同一层且相互间隔设置的多个上电子传输层和多个上空穴传输层；上基底和上导电极分别与下基底和下导电极相对于中间器件上下对称设置，每个上电子传输层分别对应地与每个下空穴传输层相对于中间器件上下对称设置，每个上空穴传输层分别对应地与每个下电子传输层相对于中间器件上下对称设置，每个上隔离层分别对应地与每个下隔断层相对于中间器件上下对称设置，每个上隔断层分别对应地与每个下隔离层相对于中间器件上下对称设置；每个中间第一电子传输层分别对应地与每个中间第二空穴传输层相对于复合电极上下对称设置，每个中间第一空穴传输层分别对应地与每个中间第二电子传输层相对于复合电极上下对称设置；制备所述上基底和下基底的材料分别包括玻璃、聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）、聚萘二甲酸乙二醇酯（PEN）及聚酰亚胺（PI）中任意一种；制备所述上导电极和下导电极的材料分别为氧化铟锡（ITO）、掺氟氧化锡（FTO）、掺铝氧化锌（AZO）中任意一种；制备所述上电子传输层、下电子传输层、中间第一电子传输层和中间第二电子传输层的材料分别为二氧化钛、氧化锌、硫化镉、二氧化锡、三氧化二铟、氧化钨、氧化铈、C60、C70、PCBM以及它们的衍生物和掺杂物中的任意一种；制备所述上空穴传输层、下空穴传输层、中间第一空穴传输层和中间第二空穴传输层的材料分别为酞氰铜、酞氰钴、酞氰镍、氧化镍、氧化钒、氧化钼、硫化铜、硫氰酸亚铜、氧化铜、氧化亚铜、氧化钴、PTAA、PEDOT、Poly-TPD、Spiro-MeOTAD和它们的掺杂物中的任意一种；制备所述第一钙钛矿层和第二钙钛矿层的材料的分子结构式为ABX3型，其中，A为甲胺基（CH3NH3+）、甲脒基（CHNH22+）、铯（Cs+）中任意一项一价阳离子，B为二价铅离子（Pb2+）或二价亚锡离子（Sn2+），X为Cl-、Br-、I-中任意一个卤素阴离子；在所述第一钙钛矿层和或第二钙钛矿层中还分别掺杂有离子掺杂物，所述离子掺杂物包括胍基阳离子（CNH23+）、丁胺基阳离子（CH3CH23NH3+）、苯乙胺基阳离子C6H5CH22NH3+中任意一种一价有机胺阳离子，或者包括锂、钠、钾、铷、硼、硅、锗、砷、锑、铍、镁、钙、锶、钡、铝、铟、镓、锡、铊、铅、铋、镧、铈、镨、钕、钐、铕、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镱、镥、钪、钛、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌、钇、锆、铌、钼、钌、铑、钯、银、镉、铪、钽、钨、铼、锇、铱、铂、金中任意一种无机元素的阳离子，或者还包括硫氰酸根（SCN-）或醋酸根离子CH3COO-。

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