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申请/专利权人：上海富乐华半导体科技有限公司
摘要：本发明涉及一种DBC覆铜陶瓷基板上圆形半腐蚀沉孔的设计方法，包括：A、菲林图形设计：包括位于中心的圆形非曝光圈以及环形设置在该圆形非曝光圈外的多个环形圈。每个环形圈由交替设置的扇形非曝光区域和扇形曝光区域组成；外层环形圈中的扇形非曝光区域的中心位于内层环形圈中扇形非曝光区域侧边延长线上；环形圈与圆形非曝光圈之间，相邻两个环形圈之间的区域为曝光区域；B、沉孔加工：图形设计完毕后，先进行显影去除曝光区域，而后蚀刻去除非曝光区域，得到圆形半腐蚀沉孔。根据本发明方法制成的沉孔弧面光滑，与底部垂直，且尺寸精确，满足了后道封装时焊接要求。
主权项：1.一种DBC覆铜陶瓷基板上圆形半腐蚀沉孔的设计方法，在铜箔表面加工圆形半腐蚀沉孔，其特征在于，包括如下步骤：A、菲林图形设计包括位于中心的圆形非曝光圈以及环形设置在该圆形非曝光圈外的多个环形圈，其中，每个所述环形圈由交替设置的扇形非曝光区域和扇形曝光区域组成；外层环形圈中的扇形非曝光区域的中心位于内层环形圈中扇形非曝光区域侧边延长线上；所述环形圈与所述圆形非曝光圈之间，相邻两个环形圈之间的区域为曝光区域，B、沉孔加工图形设计完毕后，先进行显影去除曝光区域，而后蚀刻去除非曝光区域，得到圆形半腐蚀沉孔。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海富乐华半导体科技有限公司 DBC覆铜陶瓷基板上圆形半腐蚀沉孔的设计方法
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