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申请/专利权人：中国核动力研究设计院
摘要：本发明公开了一种超薄镍‑63辐射源及其制备方法、应用，制备方法包括以下步骤：S1、制备镍源：先制备Ni纳米颗粒，然后将制备的Ni纳米颗粒分散于乙醇丙酮溶液中；S2、制备PMMA石墨烯薄膜；S3、将步骤S2制备的PMMA石墨烯薄膜置于磁场中，然后将步骤S1制备的镍源滴涂于PMMA石墨烯薄膜表面，在外磁场的诱导下，Ni纳米粒子沿着磁力线方向定向排列，待乙醇丙酮挥发后，撤去外磁场；S4、去除PMMA获得超薄镍‑63辐射源。采用本发明所述制备方法所制备的镍‑63辐射源厚度可降至1μm左右，且薄膜完整可自支撑，组成薄膜的纳米粒子在外加磁场的作用下可实现定向排列。
主权项：1.一种超薄镍-63辐射源的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、制备镍源：先制备Ni纳米颗粒，然后将制备的Ni纳米颗粒分散于乙醇或丙酮溶液中；Ni纳米颗粒是以乙酰丙酮镍-63和油胺为原料依次经过高温反应、沉淀、烘干和研磨获得；所述高温反应的具体过程如下：将乙酰丙酮镍-63和油胺按一定摩尔比混合于反应瓶中，向反应瓶中通入惰性气体排出空气和水分，然后先将反应瓶置于135℃油浴中反应生成前驱体，再将反应瓶快速转移到245℃油浴中，使其前驱体发生高温热分解；S2、制备PMMA石墨烯薄膜；先采用CVD方法在铜箔表面生长单晶石墨烯，之后在石墨烯表面旋涂PMMA，使PMMA与石墨烯紧密贴附，再采用FeCl3溶液去除铜箔；S3、将步骤S2制备的PMMA石墨烯薄膜置于磁场中，然后将步骤S1制备的镍源滴涂于PMMA石墨烯薄膜表面，在外磁场的诱导下，Ni纳米粒子沿着磁力线方向定向排列，待乙醇丙酮挥发后，撤去外磁场；S4、去除PMMA获得超薄镍-63辐射源。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国核动力研究设计院 一种超薄镍-63辐射源及其制备方法、应用
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