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申请/专利权人：超威半导体公司
摘要：本发明公开了考虑存储器中的温度变化的用于执行存储器内矩阵乘法的技术。在一个示例中，矩阵乘法存储器使用欧姆乘法与电流求和来执行矩阵乘法中涉及的点积。这种模拟形式的乘法的一个缺点是温度影响结果的准确度。因此，本文提供了补偿温度升高对存储器内矩阵乘法的准确度的影响的技术。根据这些技术，输入矩阵的部分被分类为有效或无效。有效部分被映射到存储器内矩阵乘法器的低温区域，并且无效部分被映射到存储器内矩阵乘法器的高温区域。然后，执行矩阵乘法。
主权项：1.一种用于执行存储器内矩阵乘法的方法，所述方法包括：基于来自存储器内处理器的顶部区域和底部区域中的左外围传感器和右外围传感器的温度测量值，将所述存储器内处理器的区域分类为至少一个低温区域和至少一个高温区域；将矩阵的第一矩阵部分分类为有效并且将所述矩阵的第二矩阵部分分类为无效；将所述第一矩阵部分分配给所述低温区域并且将所述第二矩阵部分分配给所述高温区域；以及在所述存储器内处理器中执行与所述矩阵的矩阵乘法，以接收乘积。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 超威半导体公司 用于存储器内矩阵乘法的基于温度的调整
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