买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

申请/专利权人：上海华友金裕微电子有限公司

摘要：本发明适用于IGBT模块技术领域，提供了一种IGBT模块防氧化工艺，所述IGBT模块包括铜基大引脚、EMC塑封体、铜基DBC和铜基小引脚；IGBT模块防氧化工艺具体为：首先去除EMC塑封体与铜基DBC交接处的EMC毛刺，并去除所有铜基表面的氧化层，最后在整个IGBT模块表面涂覆防氧化保护层，以保证后续工序的激光焊接。本发明通过连续处理的方式，实现了高效的IGBT模块表面防氧化处理，提高了生产效率。确保了IGBT模块表面的氧化层被彻底去除，提高了后续激光焊接的效果。整个工艺流程操作简单、成本较低，适用于大规模生产应用。

主权项：1.一种IGBT模块防氧化工艺，其特征在于，所述IGBT模块包括铜基大引脚、EMC塑封体、铜基DBC和铜基小引脚；所述IGBT模块防氧化工艺包括以下步骤：步骤1、上料：将IGBT模块夹持在设备内运转的钢带上，使得IGBT模块依次进入到各道工序进行处理；步骤2、电解软化：在电解软化槽中采用碱性化学药剂软化EMC塑封体，并去除铜基材表面的油污；步骤3、风吹+三级水洗+风吹：第一组风吹安装位置在电解软化槽的后端，用于吹去模块表面的化学药剂，掉落的药水保留在电解软化槽中；第二道水洗采用自来水三级水洗，用于清洗模块表面的化学药剂；第三级水洗为直供新鲜自来水，清洗后的水流到第二级水洗槽，作为第二级清洗水，第二级清洗水清洗后流到第三级水洗槽，作为第三级清洗水，IGBT模块依次经过第三级、第二级、第一级水洗；第二组风吹用于吹去IGBT模块表面的清洗水；步骤4、高压水洗：利用高压泵+高压水刀模块清除EMC塑封体与DBC交接处的EMC毛刺，高压水刀的压力控制在150±50kgf，高压水刀模块上设置水刀，水刀的位置覆盖待冲洗的毛刺区域；步骤5、风吹：再次使用风吹去除IGBT模块表面的水分；步骤6、去氧化层：在去氧化槽中采用酸性化学药剂去除IGBT模块铜基表面的氧化层；步骤7、风吹+三级水洗+风吹：第一组风吹安装位置在电解软化槽的后端，用于吹去模块表面的化学药剂，掉落的药水保留在去氧化槽中；第二道水洗采用自来水三级水洗，用于清洗模块表面的化学药剂；第三级水洗为直供新鲜自来水，清洗后的水流到第二级水洗槽，作为第二级清洗水，第二级清洗水清洗后流到第三级水洗槽，作为第三级清洗水，IGBT模块依次经过第三级、第二级、第一级水洗；第二组风吹用于吹去IGBT模块表面的清洗水；步骤8、防氧化处理：在防氧化槽中采用防氧化药剂在IGBT模块表面形成一层防氧化层；步骤9、风吹+三级水洗+风吹：第一组风吹安装位置在电解软化槽的后端，用于吹去模块表面的化学药剂，掉落的药水保留在防氧化槽中；第二道水洗采用纯水三级水洗，用于清洗模块表面的化学药剂；第三级水洗为直供纯水，清洗后的水流到第二级水洗槽，作为第二级清洗水，第二级清洗水清洗后流到第三级水洗槽，作为第三级清洗水，IGBT模块依次经过第三级、第二级、第一级水洗；第二组风吹用于吹去IGBT模块表面的清洗水；步骤10、超声波热水洗+风刀组+烘干：采用50±10℃纯水和超声波的方式清洗IGBT模块表面，然后通过风刀组清除IGBT模块表面的水分；最后在120±10℃的烘干槽中进行烘干，完全去除模块表面的水分；步骤11、下料：IGBT模块完成模块表面的毛刺处理、去氧化处理和防氧化处理后，IGBT模块下料并被打包处理，流入到下一道工序。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海华友金裕微电子有限公司 一种IGBT模块防氧化工艺