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申请/专利权人：江苏宏微科技股份有限公司
摘要：本实用新型涉及芯片封装技术领域，特别涉及一种IGBT单管叠片封装结构，包括第一底板、第一芯片、跳线板、第二芯片和第二底板，所述第一底板与集电极管脚相连，所述第一芯片通过第一焊料层与第一底板相连，所述第二芯片通过第一焊料层与第二底板相连，所述跳线板的两侧分别通过第二焊料层与第一芯片和第二芯片相连，所述跳线板与发射极管脚采用clip跳线方式连接，所述第一底板与第二底板采用clip跳线方式连接。本实用新型芯片采用纵向堆叠布局，可封装的双芯片面积扩大；功率端采用clip跳线，使得通流能力不再受限于键合线的通流能力。
主权项：1.一种IGBT单管叠片封装结构，其特征在于：包括第一底板、第一芯片、跳线板、第二芯片和第二底板，所述第一底板与集电极管脚相连，所述第一芯片通过第一焊料层与第一底板相连，所述第二芯片通过第一焊料层与第二底板相连，所述跳线板的两侧分别通过第二焊料层与第一芯片和第二芯片相连，所述跳线板与发射极管脚采用clip跳线方式连接，所述第一底板与第二底板采用clip跳线方式连接。
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权利要求：
百度查询： 江苏宏微科技股份有限公司 一种IGBT单管叠片封装结构
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