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申请/专利权人：派德芯能半导体(上海)有限公司
摘要：本发明公开了一种沟槽栅IGBT器件及制备方法，该IGBT器件于沟槽内填充有多晶硅及位于多晶硅外侧且紧贴沟槽内壁的栅氧层，多晶硅的一侧或两侧开设有填充槽，填充槽从多晶硅的顶部延伸至多晶硅的底部，填充槽与栅氧层的内壁之间形成填充腔，填充腔内填充有绝缘介质，沟槽顶部的两侧设置有与栅氧层的外壁抵接的有源区。根据本发明的沟槽栅IGBT器件及制备方法，通过在沟槽内填充绝缘介质，使槽内绝缘介质与有源区交叠的区域不会形成电子流通沟道，从而降低了短路电流，提升了器件的短路能力。通过将绝缘介质沿沟槽深度方向一直延申到多晶硅底部，有效减小了栅极电容，提高了器件开关速度。
主权项：1.一种沟槽栅IGBT器件，其特征在于，包括衬底和在衬底上依次形成的第一导电类型漂移区和第二导电类型体区，所述沟槽栅IGBT器件还包括贯穿第二导电类型体区并伸入第一导电类型漂移区的第一沟槽和第二沟槽，所述第一沟槽内填充有第一多晶硅及位于第一多晶硅外侧且紧贴第一沟槽内壁的第一栅氧层，所述第一多晶硅的一侧或两侧开设有填充槽，所述填充槽从第一多晶硅的顶部延伸至第一多晶硅的底部，所述填充槽与第一栅氧层的内壁之间形成填充腔，所述填充腔内填充有绝缘介质，所述第一沟槽顶部的两侧设置有与第一栅氧层的外壁接触的第一导电类型源区，所述第二沟槽内填充有第二多晶硅及位于第二多晶硅外侧且紧贴第二沟槽内壁的第二栅氧层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 派德芯能半导体(上海)有限公司 沟槽栅IGBT器件及制备方法
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