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申请/专利权人：香港中文大学(深圳)
摘要：本发明涉及一种电泵浦钙钛矿白光激光器及其制备方法，其中激光器包括衬底材料层；第一布拉格反射层；N型氮化镓层；氮化铟镓‑氮化镓量子阱层，N型氮化镓层提供电子至氮化铟镓‑氮化镓量子阱层；P型氮化镓层，P型氮化镓层用于提供空穴至氮化铟镓‑氮化镓量子阱层；氧化铝掩埋层；氧化铟锡层ITO；第二布拉格反射层；第一钙钛矿光子晶体结构层；第二钙钛矿光子晶体结构层。激光器基于现有的光子晶体面发射激光器结构与半导体加工方法，在电泵浦蓝光垂直腔面发射半导体激光器上引入光致发光波长分别覆盖绿光和红光波段，且拥有光子晶体结构的双层钙钛矿材料层的设计，以实现电泵浦面发射钙钛矿白光激光器的面发射。
主权项：1.一种电泵浦钙钛矿白光激光器，其特征在于，包括：衬底材料层（100）；第一布拉格反射层（200），所述第一布拉格反射层（200）设置在所述衬底材料层（100）的上方；N型氮化镓层（300），所述N型氮化镓层（300）设置在所述第一布拉格反射层（200）的上方；氮化铟镓-氮化镓量子阱层（400），所述氮化铟镓-氮化镓量子阱层（400）设置在所述N型氮化镓层（300）的上方，所述N型氮化镓层（300）提供电子至所述氮化铟镓-氮化镓量子阱层（400）；P型氮化镓层（500），所述P型氮化镓层（500）设置在所述氮化铟镓-氮化镓量子阱层（400）的上方,所述P型氮化镓层（500）用于提供空穴至所述氮化铟镓-氮化镓量子阱层（400）；氧化铝掩埋层（600），所述氧化铝掩埋层（600）设置在所述P型氮化镓层（500）的外侧；氧化铟锡层ITO（700），所述氧化铟锡层ITO（700）设置在所述P型氮化镓层（500）的上方；第二布拉格反射层（800），所述第二布拉格反射层（800）设置在所述氧化铟锡层ITO（700）的上方；第一钙钛矿光子晶体结构层（900），所述第一钙钛矿光子晶体结构层（900）设置在所述第二布拉格反射层（800）的上方；第二钙钛矿光子晶体结构层（1000），所述第二钙钛矿光子晶体结构层（1000）设置在所述第一钙钛矿光子晶体结构层（900）的上方。
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百度查询： 香港中文大学(深圳) 一种电泵浦钙钛矿白光激光器及其制备方法
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