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申请/专利权人：拉普拉斯新能源科技股份有限公司
摘要：一种磷扩散方法，包括：S1：将硅片放入反应炉中，抽真空；S2：将反应炉内的温度升温至750～850℃，并通入氧气和惰性气体对硅片进行氧化，生成氧化硅层；S3：保持反应炉内的温度为750～850℃，并通入氧气、携带磷源气体和惰性气体，进行扩散沉积；S4：将反应炉内的温度升温至850～900℃，通入惰性气体，进行推进；S5：控制反应炉内的温度为850～900℃，通入氧气和惰性气体，将气体压力控制为200～300mBar，进行氧化；S6：控制反应炉内的温度为780～850℃，通入氧气和惰性气体，将气体压力保持为200～300mBar，进行氧化；S7：将反应炉内的温度降至740～840℃，并通入惰性气体，进行吹扫。本申请的磷扩散方法，通过工艺参数等的合理设置，从而实现更好的磷扩散均匀性。
主权项：1.一种磷扩散方法，其特征在于，包括：步骤S1：将硅片放入反应炉中，并对所述反应炉抽真空；步骤S2：将所述反应炉内的温度升温至750～850℃保温，并向所述反应炉内通入氧气和惰性气体，以对所述硅片进行氧化，生成氧化硅层；步骤S3：保持所述反应炉内的温度为750～850℃，并向所述反应炉内通入氧气、携带磷源气体和惰性气体，进行磷扩散沉积；步骤S4：将所述反应炉内的温度升温至850～900℃保温，并向所述反应炉内通入惰性气体，进行磷扩散推进；步骤S5：保持所述反应炉内的温度为850～900℃，并向所述反应炉内通入氧气和惰性气体，将所述反应炉内的气体压力控制为200～300mBar，进行保温氧化；步骤S6：控制所述反应炉内的温度下降至780～850℃，降温期间向所述反应炉内通入氧气和惰性气体，将所述反应炉内的气体压力保持为200～300mBar，进行降温氧化；步骤S7：控制所述反应炉内的温度下降至740～840℃，降温期间向所述反应炉内通入惰性气体，压力降低至100～200mBar，进行吹扫；步骤S8：控制所述反应炉内的温度下降至700～800℃，并向所述反应炉内通入惰性气体。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 拉普拉斯新能源科技股份有限公司 磷扩散方法
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