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摘要：本发明公开了一种高熵陶瓷有机先驱体及其制备方法和应用，涉及复相陶瓷制备技术领域。该方法包括以下步骤：在惰性气体保护气氛中，将钛源、锆源、铌源、铪源和钽源添加到碳源中，搅拌，然后加入醇，反应，脱除溶剂，然后真空干燥，制得Ti0.2Zr0.2Nb0.2Hf0.2Ta0.2C高熵陶瓷有机先驱体，即为高熵陶瓷有机先驱体。本发明具有原料廉价简便易得、工艺简单、制备周期短、成本低、先驱体分子结构新颖、陶瓷产率高以及溶解性能好的特点。本发明解决了现有技术中的制备高熵陶瓷有机先驱体的方法反应路线复杂、成本高、产率低、含杂质以及溶解性差的问题。
主权项：1.一种高熵陶瓷有机先驱体的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1在惰性气体保护气氛中，将钛源、锆源、铌源、铪源和钽源添加到碳源中，室温下搅拌0.5-2h，然后加入醇，于40-100℃条件下反应1-2h，制得反应溶液；2继续在步骤1所述的惰性气体保护气氛中，将步骤1制得的反应溶液脱除溶剂，然后真空干燥3-12h，制得Ti0.2Zr0.2Nb0.2Hf0.2Ta0.2C高熵陶瓷有机先驱体，即为高熵陶瓷有机先驱体。
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百度查询： 国投陶瓷基复合材料研究院(西安)有限公司 一种高熵陶瓷有机先驱体及其制备方法和应用
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