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申请/专利权人：长鑫科技集团股份有限公司
摘要：一种半导体器件、三维动态随机存储器、选择控制电路，该半导体器件包括：衬底，器件层结构，第一控制线和第二控制线；器件层结构包括：主线，选择控制器，子线；选择控制器包括：第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管包括第一源漏极，第二源漏极和第一栅极，第二晶体管包括第三源漏极，第四源漏极和第二栅极；第一源漏极连接主线，第二源漏极和第四源漏极连接子线，第三源漏极连接第一栅极，第一栅极与第一控制线连接，第二栅极与第二控制线连接；多个沿第一方向堆叠的器件层结构，不同层中对应的选择控制器中第一栅极与同一条第一控制线连接，不同层中对应的选择控制器中第二栅极与同一条第二控制线连接。
主权项：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底，设置于所述衬底上的器件层结构，第一控制线和第二控制线；所述器件层结构包括：主线，选择控制器，子线；所述选择控制器包括：第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管包括第一源漏极，第二源漏极和第一栅极，所述第二晶体管包括第三源漏极，第四源漏极和第二栅极；所述第一源漏极连接所述主线，所述第二源漏极和所述第四源漏极连接所述子线，所述第三源漏极连接所述第一栅极，所述第一栅极与所述第一控制线连接，所述第二栅极与所述第二控制线连接；所述主线沿第二方向延伸，在所述主线的延伸方向上间隔设置有多个与所述主线连接的所述选择控制器，每个所述选择控制器分别连接一条所述子线，所述子线沿第三方向延伸；多个沿第一方向堆叠的所述器件层结构，不同层中对应的所述选择控制器中所述第一栅极与同一条所述第一控制线连接，不同层中对应的所述选择控制器中所述第二栅极与同一条所述第二控制线连接；所述第一方向与所述衬底相交，所述第二方向平行于所述衬底，所述第三方向平行于所述衬底并与所述第二方向相交。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长鑫科技集团股份有限公司 半导体器件、动态随机存储器及选择控制电路
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