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申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
摘要：本发明提供一种静态随机存储器的形成方法，通过利用图形化的第一硬掩膜层和图形化的第二硬掩膜层为掩膜刻蚀栅极材料层，可以将图形化的第一硬掩膜层中的第一掩膜图形以及将图形化的第二硬掩膜层中的第二掩膜图形和第三掩膜图形转移到栅极材料层中，由此在第一图形区、第二图形区和第三图形区形成宽度不同的栅极，其中，第一图形区的栅极的宽度与第一掩膜图形的宽度相同，第二图形区的栅极的宽度与第二掩膜图形的宽度相同，第三图形区的栅极的宽度与第三掩膜图形的宽度相同，从而实现在不同的区域放置不同尺寸的栅极的工艺需求，减少静态随机存储器中的冗余模块的数量，从而减少冗余模块占用的面积。
主权项：1.一种静态随机存储器的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底具有第一图形区、第二图形区和第三图形区，所述第二图形区位于所述第一图形区和所述第三图形区之间，且所述衬底上形成有栅极材料层；形成图形化的第一硬掩膜层，所述图形化的第一硬掩膜层中具有形成于所述第一图形区的栅极材料层上的至少两个第一掩膜图形；形成图形化的第二硬掩膜层，所述图形化的第二硬掩膜层中具有形成于所述第二图形区的栅极材料层上的第二掩膜图形和形成于所述第三图形区的栅极材料层上的第三掩膜图形，所述第三掩膜图形的宽度小于所述第二掩膜图形的宽度，且所述第二掩膜图形的宽度小于所述第一掩膜图形的宽度；以及，以所述图形化的第二硬掩膜层和所述图形化的第一硬掩膜层为掩膜刻蚀所述栅极材料层，以在所述第一图形区、所述第二图形区和所述第三图形区形成宽度不同的栅极，其中，所述第一图形区的栅极的宽度与所述第一掩膜图形的宽度相同，所述第二图形区的栅极的宽度与所述第二掩膜图形的宽度相同，所述第三图形区的栅极的宽度与所述第三掩膜图形的宽度相同。
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百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 静态随机存储器的形成方法
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