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申请/专利权人：索泰克公司
摘要：本发明涉及一种应用于射频电子和微电子领域的衬底1，其包括：基础衬底3；位于所述基础衬底3上并与其直接接触的单一碳层2，所述碳层2具有严格在1nm到5nm范围的厚度；位于所述碳层2上的绝缘体层4；位于所述绝缘体层4上的器件层5。本发明还涉及一种用于制造所述衬底的方法。
主权项：1.一种应用于射频电子和微电子领域的衬底1，其包括：-基础衬底3；-位于所述基础衬底3上并与其直接接触的单一碳层2，其中所述碳层2具有严格在1nm至5nm范围的厚度；-位于所述碳层2上的绝缘体层4；-位于所述绝缘体层4上的器件层5；-位于所述碳层2和所述绝缘体层4之间并与它们接触的粘结层7，其中，所述粘结层7具有小于10nm的厚度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 索泰克公司 用于集成射频器件的衬底及其制造方法
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