龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：武汉理工大学
摘要：本发明涉及超材料技术领域，具体涉及一种基于准连续域束缚态的高Q值折射率传感器及其制备方法。包括基底层和位于基底层上的全介质超表面结构阵列，全介质超表面结构阵列由若干个全介质超表面单元周期性排列形成，全介质超表面单元为方形块结构，方形块结构在沿x方向的一侧面上设有缺口，各方形块结构上设置的缺口的位置、朝向、形状和大小均相同，设有缺口的全介质超表面单元用于在沿x方向偏振的平面波正入射时，激发沿z方向的磁偶极矩，形成准连续域中的束缚态，并利用所述准连续域中的束缚态形成高Q值的谐振腔。本发明通过破坏结构在x方向的对称性，使连续域束缚态转为准连续域束缚态，从而获得极高的Q值，在很大程度上提高了折射率传感器的传感性能。
主权项：1.一种基于准连续域束缚态的高Q值折射率传感器，其特征在于：包括基底层1和位于基底层1上的全介质超表面结构阵列4，所述全介质超表面结构阵列4由若干个全介质超表面单元2周期性排列形成，所述全介质超表面单元2为方形块结构，所述方形块结构在沿x方向的一侧面上设有缺口3，各方形块结构上设置的缺口3的位置、朝向、形状和大小均相同，设有所述缺口3的全介质超表面单元2用于在沿x方向偏振的平面波正入射时，激发沿z方向的磁偶极矩，形成准连续域中的束缚态，并利用所述准连续域中的束缚态形成高Q值的谐振腔；其中，x方向为基底层1长度方向，y方向为基底层1宽度方向，z方向为基底层1高度方向。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 武汉理工大学 基于准连续域束缚态的高Q值折射率传感器及其制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号