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一种石墨烯纳米带及其制备方法 

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申请/专利权人:天津大学

摘要:本发明提供了一种石墨烯纳米带及其制备方法,应用于半导体器件技术领域。该石墨烯纳米带的弹道输运长度≥20微米。该石墨烯纳米带的制备方法包括:(1)对SiC衬底进行气体刻蚀处理,得到刻蚀后的SiC衬底;(2)将刻蚀后的SiC衬底在真空条件下退火;(3)将退火后的SiC衬底在惰性气体气氛下于第一温度下加热第一预设时长;(4)将SiC衬底在惰性气体气氛于第二温度下进一步加热第二预设时长,在SiC衬底上生成半导体石墨烯纳米带;(5)利用氢气对步骤(4)中的SiC衬底进行处理,得到石墨烯纳米带。

主权项:1.一种石墨烯纳米带,其特征在于,所述石墨烯纳米带沿碳化硅衬底的晶体排列方向有序生长,所述石墨烯纳米带的边缘结构呈原子级平整,所述石墨烯纳米带的弹道输运长度≥20微米。

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