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一种用于大直径锑化镓晶体生长除杂装置 

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申请/专利权人:大庆溢泰半导体材料有限公司

摘要:一种用于大直径锑化镓晶体生长除杂装置,涉及晶体生长技术领域,包括生长坩埚组件和熔料除杂组件;所述的熔料除杂组件包括融料坩埚、分凝坩埚组件及上旋转升降杆,融料坩埚位于分凝坩埚组件的上方,融料坩埚的下端带有漏料口,上旋转升降杆穿过融料坩埚的漏料口,漏料口下方的上旋转升降杆上固定连接用于封堵所述漏料口的封板,分凝坩埚组件包括由外向内依次设置的三道坩埚,三道坩埚之间构成熔体通过的上下回转通道,熔体经过分凝坩埚组件的上下回转通道时分凝并吸附在坩埚壁上。现有技术通过带有过滤缝隙的过滤坩埚进行除杂,除杂过程中缝隙易堵塞,落料受影响。本实用新型除杂过程不会发生此类情况,且重复利用性优于现有技术。

主权项:1.一种用于大直径锑化镓晶体生长除杂装置,包括生长坩埚(6)组件和熔料除杂组件,其中熔料除杂组件位于生长坩埚(6)组件的上方,其特征在于:所述的熔料除杂组件包括融料坩埚(2)、分凝坩埚组件及上旋转升降杆(1),所述的融料坩埚(2)位于分凝坩埚组件的上方,融料坩埚(2)的下端带有漏料口,所述的上旋转升降杆(1)穿过融料坩埚(2)的漏料口,漏料口下方的上旋转升降杆(1)上固定连接用于封堵所述漏料口的封板(10),所述的分凝坩埚组件包括由外向内依次设置的三道坩埚,外层坩埚(4)的上端为敞口,下端带有端面,端面的中央带有一个漏料口,中层坩埚(7)的上端闭口,下端敞口,中层坩埚(7)的下端与外层坩埚(4)的下端面之间带有过流口,内层坩埚(8)的上下两端均为敞口,内层坩埚(8)的下端坐放在外层坩埚(4)的下端面上且二者之间密封配合,内层坩埚(8)的上端与中层坩埚(7)的上端面之间留有过流口,从而使三道坩埚之间构成熔体通过的上下回转通道,熔体经过分凝坩埚组件的上下回转通道时分凝并吸附在各层坩埚壁上。

全文数据:

权利要求:

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