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申请/专利权人：江苏林洋太阳能有限公司
摘要：本发明涉及具有选择性多晶硅层的钝化接触电池结构及制备方法，包括步骤：1）选取单晶硅片进行表面处理并形成绒面；2）对制绒硅片表面形成硼掺杂发射极；3）去除背面及边缘的BSG层；4）依次生长隧穿氧化层和本征多晶硅层；5）形成选择性多晶硅层；6）形成钝化层和减反膜层；7）金属电极的印刷和烧结。本发明一方面不仅使得非金属区域的多晶硅层减少了重掺杂对光的寄生吸收，提高光的利用率，提升光电转化效率；而且重掺杂更有助于与金属电极形成更好的欧姆接触，降低接触电阻率；另一方面掺杂碳或氧或氮元素，降低磷原子的活性，减少俄歇复合和SRH复合，同时有利于通过形成C‑H化学键来抑制H的逸出，更有利于促进表面的钝化。
主权项：1.一种具有选择性多晶硅层的钝化接触电池结构的制备方法，其特征在于，其包括如下步骤：1）选取单晶硅片进行表面处理，然后制作形成绒面；2）对制绒硅片表面形成硼掺杂发射极；3）去除背面及边缘的BSG层；4）在硅片背面依次生长隧穿氧化层和本征多晶硅层；5）基于本征多晶硅层形成选择性多晶硅层，其包括第一掺杂多晶硅层、第二掺杂多晶硅层和第三掺杂多晶硅层，其中第一掺杂多晶硅层、第二掺杂多晶硅层和第三掺杂多晶硅层构成磷原子的浓度不同的内外掺杂结构层，且磷原子的浓度最高的掺杂多晶硅层对应金属区域，磷原子的浓度次高的掺杂多晶硅层中掺杂有碳或氧或氮元素，且对应外掺杂结构层的非金属区域且位于外掺杂结构层，磷原子的浓度最低的掺杂多晶硅层构成内掺杂结构层；6）正反表面形成钝化减反膜层；7）正反表面的金属电极的印刷和烧结，其中金属电极与金属区域对应，且形成在磷原子浓度最高的掺杂多晶硅层上。
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