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申请/专利权人:苏州大学
摘要:本发明属于太阳电池技术领域,具体涉及一种电子选择性钝化接触结构及其应用。所述电子选择性钝化接触结构设置于硅衬底的表面,包括依次制备的氧化硅隧穿层、氧化镁层和氢钝化盖层。本发明的电子选择性钝化接触结构具有优异的表面钝化性能,同时实现电子选择性传输。宽带隙氧化镁层可以避免光学寄生吸收问题,且具有高的电子浓度及体电导率,所述氧化镁层可通过掺杂进一步优化其光、电学性能,进而提高其电子选择性钝化接触性能。
主权项:1.一种电子选择性钝化接触结构,其特征在于,所述电子选择性钝化接触结构设置于硅衬底的表面,所述硅衬底的表面选自硅衬底的受光面和背光面中的一种;所述电子选择性钝化接触结构包括依次制备的氧化硅隧穿层、氧化镁层和氢钝化盖层。
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权利要求:
百度查询: 苏州大学 一种电子选择性钝化接触结构及其应用
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