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申请/专利权人：内蒙古大全半导体有限公司
摘要：本发明涉及多晶硅技术领域，具体公开了一种多晶硅清洗液混酸换酸判断方法，其包括制备样块、清洗刻蚀、测量样块的刻蚀厚度、构建数据列表、预估后续重新置换清洗液后的清洗批次数量；本发明通过对样块的刻蚀厚度构建混酸酸液的刻蚀能力数据列表，并根据该数据列表预估指导后续相同工艺中需要换酸的批次的方式，无需昂贵的测试设备和对产线的改造，即可提高预估换酸批次的准确性，提高了混酸酸液的利用效率，大大降低了清洗工艺的成本。
主权项：1.一种多晶硅清洗液混酸换酸判断方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：制备样块：将多晶棒料切割成若干边长相等的正方体样块，样块的边长为L，样块边长L的单位为mm；S2：清洗刻蚀：将步骤S1中的样块与待清洗的硅块同时放入料篮，样块随待清洗的硅块一同经过各清洗槽进行清洗刻蚀，清洗完成后取出样块；S3：测量样块的刻蚀厚度：测量步骤S2中的所述样块的清洗前质量M1以及清洗后质量M2，计算其被刻蚀厚度H：H=[（M2-M1）ρ]L2×6，其中M1、M2的单位为g，ρ为样块的多晶硅材料密度，单位为gmm3；S4：构建数据列表：第1批次清洗样块的清洗液混酸刻蚀能力为100%；其后每批次清洗样块的清洗液混酸刻蚀能力通过以下方式计算：第n批次清洗液混酸刻蚀能力=[1-1（N-1）×（n-1）]×100%，其中N为全部清洗批次的总数；其中第n批次清洗后的样块的刻蚀厚度为Hn，当0.95Hn＜Hk时，第n批次清洗后清洗液混酸刻蚀能力为0，Hk为工艺要求的最小刻蚀厚度；构建全部批次清洗后的样块的刻蚀厚度H与相应清洗液混酸刻蚀能力的数据列表；S5：预估后续重新置换清洗液后的清洗批次数量：重新置换清洗液后根据步骤S4得到的数据列表预估后续重新置换清洗液后的清洗液混酸刻蚀能力，当所清洗的批次在数据列表中对应的刻蚀能力达到20%时，当前清洗批次及其后每隔4清洗批次需要重复步骤S1-S3测量样块的刻蚀厚度H，当0.95H＜Hk时，置换清洗液。
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