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申请/专利权人：西北工业大学
摘要：本发明公开了一种激光定向能量沉积结合反应烧结制备的SiC结构件及方法，属于碳化硅陶瓷的增材制造技术领域。本发明公开的方法，采用硅粉体、碳化硅粉体及炭黑粉体为原材料制备陶瓷复合粉体，随后将陶瓷复合粉体作为打印原料，通过设计合理的打印参数，基于激光近净成形技术，制备了β‑SiC碳化硅生胚，随后经过热处理得到SiC结构件；整个制备过程不需要添加在成型过程中需要的粘结剂，避免了先制备素胚后脱脂热处理等流程所导致的质量不佳、操作繁琐、周期较长的问题，简化了添加增强相Cf的过程，且可一体化近净成形具有复杂形状的构件，提高了产品的可设计性。
主权项：1.一种激光定向能量沉积结合反应烧结制备SiC结构件的方法，其特征在于，包括以下步骤：采用硅粉体、碳化硅粉体及炭黑粉体为原材料，经过喷雾造粒处理得到陶瓷复合粉体；设置激光定向能量沉积打印参数，采用陶瓷复合粉体作为打印原料，开始激光定向能量沉积打印，打印结束后得到β-SiC碳化硅生胚；将β-SiC碳化硅生胚进行热处理后，得到SiC结构件。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西北工业大学 一种激光定向能量沉积结合反应烧结制备的SiC结构件及方法
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