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一种各向异性磁电阻传感器及制作方法 

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申请/专利权人:山东女子学院

摘要:本发明属于磁电阻传感器技术领域,为了解决现有传感器结构复杂,灵敏度低等问题,提出了一种各向异性磁电阻传感器及制作方法,阻单元为反铁磁金属层、铁磁金属层的双层膜设置,并将磁阻单元构成惠斯通全桥结构,利用反铁磁金属层的SOT效应产生偏置磁场,不需要额外的工艺,仅利用低密度的电流就可实现铁磁层磁化方向的偏置,器件设计加工更为简单,集成度高,而且该方式产生的偏置稳定,撤去脉冲电流后仍可保持在偏置的位置。

主权项:1.一种各向异性磁电阻传感器,其特征在于,包括:磁阻单元,所述磁阻单元包括覆盖层和基底,以及设置在所述覆盖层和所述基底之间的反铁磁金属层和铁磁金属层,所述反铁磁金属层和所述铁磁金属层上下排布设置;当多个所述磁阻单元接收到正交脉冲电流时,构成惠斯通全桥结构;在所述惠斯通全桥结构中,利用所述磁阻单元中所述反铁磁金属层的SOT效应,引起所述反铁磁金属层与所述铁磁金属层偏置磁场的形成。

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权利要求:

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