买专利卖专利找龙图腾,真高效! 查专利查商标用IPTOP,全免费!专利年费监控用IP管家,真方便!
申请/专利权人:浙江厚积科技有限公司
摘要:本发明提供了一种硅基低移除量晶圆的再生方法,包括以下步骤:步骤一:通过研磨设备对硅晶圆进行雾化研磨,移除量为1‑2um;步骤二:通过抛光设备对硅晶圆进行预抛光,移除量为0.2‑0.5um;步骤三:通过抛光设备对硅晶圆进行中抛光,移除量为3‑4um;步骤四:通过抛光设备对硅晶圆进行精细抛光,移除量为0.1‑0.3um。
主权项:1.一种硅基低移除量晶圆的再生方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤一:通过研磨设备对硅晶圆进行雾化研磨,移除量为1-2um;步骤二:通过抛光设备对硅晶圆进行预抛光,移除量为0.2-0.5um;步骤三:通过抛光设备对硅晶圆进行中抛光,移除量为3-4um;步骤四:通过抛光设备对硅晶圆进行精细抛光,移除量为0.1-0.3um。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 浙江厚积科技有限公司 一种硅基低移除量晶圆的再生方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。