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申请/专利权人:湘潭大学
摘要:本发明提供一种基于碳基FET气体传感器的室温检测痕量氨气的方法,在检测时,对碳基FET传感器底部的控制栅极施加电压,通过施加并调整控制栅极的电压改变目标气体分子的极化方向和电荷转移,从而改变敏感栅极的功函数,增强传感器在室温下对目标气体的响应,实现采用碳基FET传感器在室温下检测痕量目标气体;其中,当目标气体分子的极化方向被改变至发生完全翻转时,传感器在室温下对目标气体的响应最强。本发明的方法,即通过传感器的控制栅极电压对敏感栅极的功函数进行调控,从而在室温下增强传感器对目标气体的响应,实现气体传感器在室温下检测痕量氨气的目的。
主权项:1.一种基于碳基FET气体传感器的室温检测痕量氨气的方法,其特征在于,在检测时,对碳基FET传感器底部的控制栅极施加电压,通过施加并调整控制栅极的电压改变目标气体分子的极化方向和电荷转移,从而改变传感器敏感栅极的功函数,增强传感器在室温下对目标气体的响应,实现碳基FET传感器在室温下检测痕量目标气体;其中,当目标气体分子的极化方向被改变至发生完全翻转时,传感器在室温下对目标气体的响应最强。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 湘潭大学 基于碳基FET气体传感器的室温检测痕量氨气的方法
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