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一种通过阴离子交换构建二维半导体纳米晶体的方法 

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申请/专利权人:南京大学

摘要:本发明属于纳米材料合成领域,特别涉及一种通过阴离子交换构建二维半导体纳米晶体的方法,在含有伯胺或仲胺或叔胺基团的分子的保护作用下,客体阴离子与半导体纳米片中的主体阴离子发生交换反应,实现不同成分纳米片之间的转化;阴离子交换并不会破坏纳米片的原始形貌和晶体结构,避免“Kirkendall”效应;客体阴离子优先吸附在纳米片的极性面上,进而与该面的阴离子发生交换;动力学研究表明客体离子通过一维扩散的方式进入纳米片的内部;本发明的方法不需要高温或者高压等苛刻的实验条件,可以在温和的条件进行,易于操作;阴离子交换并不需要额外合成其它化学试剂,可以直接使用商用的化学试剂,成本低廉。

主权项:1.一种通过阴离子交换构建二维半导体纳米晶体的方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1,将纳米片A分散在有机分子溶剂中;步骤2,将客体阴离子加入到步骤1所得悬浊液中;步骤3,将步骤2所得混合溶液升温至60-120℃反应制得产物;所述纳米片A为Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米片;所述有机分子包含有伯胺基或仲胺基或叔胺基;所述客体阴离子为:元素周期表第6主族元素的阴离子。

全文数据:

权利要求:

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