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申请/专利权人：昕诺飞控股有限公司

摘要：本发明提供了光生成系统1000，其包括第一光生成设备110、发光体200、一个或多个导热体510、以及一个或多个光学元件400；其中：A第一光生成设备110被配置为生成第一设备光111，其中第一光生成设备110包括从超发光二极管和激光器的组中选择的第一光源10；B发光体200包括发光材料210，其被配置为将第一设备光111的至少一部分转换为发光材料光211；其中发光体200包括第一面201、第二面202、以及桥接第一面201与第二面202的桥接面203；其中第二面202具有第二面等效圆直径D2，其中桥接面203具有第一高度H1和周长P，其中H1D21；C一个或多个导热体510包括：C1第一导热体部分511，其与第一面201的至少一部分热接触；以及C2与i桥接面203的一部分和ii第二面202的一部分中的一项或多项热接触的第二导热体部分512；D第一导热体部分511和第二导热体部分512沿着桥接面203的周长P的至少一部分限定狭缝状开口520；以及E第一光生成设备110和一个或多个光学元件400被配置为经由狭缝状开口520向发光体200提供第一设备光111。

主权项：1.一种光生成系统1000，包括第一光生成设备110、发光体200、一个或多个导热体510、一个或多个光学元件400；其中：-所述第一光生成设备110被配置为生成第一设备光111，其中所述第一光生成设备110包括第一光源10，所述第一光源10从超发光二极管和激光器的组中被选择；-所述发光体200包括发光材料210，所述发光材料被配置为将所述第一设备光111的至少一部分转换为发光材料光211；其中所述发光体200包括第一面201、第二面202、以及桥接所述第一面201与所述第二面202的桥接面203；其中所述第二面202具有第二面等效圆直径D2，其中所述桥接面203具有第一高度H1和周长P，其中H1D21；-所述一个或多个导热体510对于所述第一设备光和所述发光材料光是反射的，并且所述一个或多个导热体510包括：-与所述第一面201的至少一部分热接触的第一导热体部分511；以及-与所述桥接面203的一部分和所述第二面202的一部分热接触的第二导热体部分512；-所述第一导热体部分511和所述第二导热体部分512沿着所述桥接面203的所述周长P的至少一部分限定狭缝状开口520；-所述第一光生成设备110和所述一个或多个光学元件400被配置为经由所述狭缝状开口520向所述发光体200提供所述第一设备光111；-其中所述狭缝状开口520限定所述桥接面203的光入耦部分251，所述光入耦部分251被配置为接收所述第一设备光111；-其中在所述光生成系统的操作期间，所述发光材料光211的至少一部分从所述第二面202的至少一部分逃逸；-其中所述光入耦部分251被配置为沿着所述周长P的至少一部分；并且-其中所述光入耦部分251具有光入耦部分面积A1，其中所述第二面202具有第二面积A2，并且其中1.1≤A1A2≤8，或其中0.05≤A1A2≤0.75。

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