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申请/专利权人：成都威频科技有限公司
摘要：本发明涉及耦合器技术领域，具体涉及是一种高方向性宽带耦合器，包括耦合器本体，所述耦合器本体上连接有第一连接器、第二连接器、第三连接器和第四连接器，其中所述耦合器本体还包括镀金腔体和镀金盖板，所述镀金盖板能盖于镀金腔体上，所述镀金腔体内设置有第一镀金耦合机构和第二镀金耦合机构；第一镀金耦合机构分别与第一连接器和第二连接器连接；第二镀金耦合机构分别与第三连接器和第四连接器连接，第二镀金耦合机构与第一镀金耦合机构能耦合，且第二镀金耦合机构与第一镀金耦合机构渐变曲率排布，通过在耦合器内设置呈渐变曲率排布第二镀金耦合机构与第一镀金耦合机构，这样与现有带状线耦合器相比在高频下可达到更高的方向性。
主权项：1.一种高方向性宽带耦合器，包括耦合器本体（1），所述耦合器本体（1）上连接有第一连接器（4）、第二连接器（5）、第三连接器（6）和第四连接器（7），其特征在于，所述耦合器本体（1）还包括镀金腔体（2）和镀金盖板（3），所述镀金盖板（3）能盖于镀金腔体（2）上，所述镀金腔体（2）内设置有第一镀金耦合机构和第二镀金耦合机构；所述第一镀金耦合机构分别与第一连接器（4）和第二连接器（5）连接；所述第二镀金耦合机构分别与第三连接器（6）和第四连接器（7）连接，第二镀金耦合机构与第一镀金耦合机构能耦合，且第二镀金耦合机构与第一镀金耦合机构渐变曲率排布；所述第一镀金耦合机构包括第一合金材料薄片镀金电路（8）和第一介质块（10）；所述第一介质块（10）上设置有第一梳状槽（13），且第一梳状槽（13）在第一介质块（10）呈渐变梳状结构排布；所述第一合金材料薄片镀金电路（8）设于第一介质块（10）上，并靠近第一梳状槽（13）开口处；所述第二镀金耦合机构包括第二合金材料薄片镀金电路（9）和第二介质块（11）；所述第二介质块（11）上设置有第二梳状槽（14），且第二梳状槽（14）在第二介质块（11）呈渐变梳状结构排布；所述第二合金材料薄片镀金电路（9）设于第二介质块（11）上，并靠近第二梳状槽（14）开口处，且第二合金材料薄片镀金电路（9）与第一合金材料薄片镀金电路（8）相对设置。
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权利要求：
百度查询： 成都威频科技有限公司 一种高方向性宽带耦合器
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