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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：本公开提供一种半导体组件电阻值的量测方法、系统及装置。此方法包括下列步骤：移载待测组件至样本支柱并利用切削装置将待测组件切削为针尖状的显微样本；利用原子探针分析装置分析显微样本的掺杂浓度，获得掺杂浓度分布；以及利用线性拟合法产生横跨掺杂浓度分布中的关注区域的切线，并分析切线上的掺杂浓度的变化曲线，以量测关注区域的电阻值。
主权项：1.一种半导体组件电阻值的量测方法，适用于具有处理器的电子装置，其中所述方法包括下列步骤：移载待测组件至样本支柱并利用切削装置将所述待测组件切削为针尖状的显微样本；利用原子探针分析装置分析所述显微样本的掺杂浓度，获得掺杂浓度分布；以及利用线性拟合法产生横跨所述掺杂浓度分布中的关注区域的切线，并分析所述切线上的所述掺杂浓度的变化曲线，以量测所述关注区域的电阻值。
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百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体组件电阻值的量测方法、系统及装置
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