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申请/专利权人：全芯智造技术有限公司
摘要：本公开实施例涉及用于OPC模型的校准方法、电子设备及存储介质。该方法包括：基于设计版图中的各个测试图形的仿真值分别与相应的测试图形在晶圆上形成的光刻图形的量测值的比较确定成本函数的值；响应于成本函数值收敛到低于第一阈值，在对应于各量测值的量测拟合点中确定第一量测拟合点的比率，第一量测拟合点为对应的量测值与仿真值的差值的绝对值低于第二阈值的量测拟合点；响应于比率低于预定合规率，调整仿真参数以基于差值的绝对值确定合规函数的值，合规函数的值指示比率是否符合预定合规率；响应于合规函数的值指示比率不低于预定合规率，将OPC模型确定为最优模型。通过本公开实施例的方案，能够快速获得优化的OPC模型。
主权项：1.一种用于光学邻近校正模型的校准方法，包括：基于设计版图中的各个测试图形的仿真值分别与相应的所述测试图形在晶圆上形成的光刻图形的量测值的比较确定成本函数的值；响应于所述成本函数的值收敛到低于第一阈值，在对应于各个所述量测值的量测拟合点中确定第一量测拟合点的比率，所述第一量测拟合点为对应的所述量测值与所述仿真值的差值的绝对值低于第二阈值的量测拟合点；响应于所述比率低于预定合规率，调整仿真参数以基于所述差值的绝对值确定合规函数的值，所述合规函数的值指示所述比率是否符合所述预定合规率；以及响应于所述合规函数的值指示所述比率不低于所述预定合规率，将所述光学邻近校正模型确定为最优模型。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 全芯智造技术有限公司 用于OPC模型的校准方法、电子设备及存储介质
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