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申请/专利权人：扬州扬杰电子科技股份有限公司
摘要：避免打火现象的高压碳化硅产品，涉及半导体技术领域。本实用新型中沟槽刻蚀区可以和对准标记图形同一层光刻板制作，不增加工艺复杂度和制造成本。芯片边缘刻蚀沟槽使得P区注入结深增加，在器件反向加压测试时时，使得背面电极的等势面不再划片道表面，由于刻蚀形成的深PN结在反向耗尽时，其电场梯度几乎全部转移到耗尽区内，划片道表面电势将被极大限度的拉低，两者之间的电势差根本不足以激发空气电离，从未避免上述打火现象的发生。并且，刻蚀后形成的PN结深更深，电场梯度转移到更深的外延层内，终端至划片道可以设计的更小，从而提高晶圆利用率，降低成本。
主权项：1.避免打火现象的高压碳化硅产品，其特征在于，从下而上依次包括背面加厚金属（13）、背面欧姆接触金属（12）、碳化硅衬底（1）和碳化硅外延层（2）；所述碳化硅外延层（2）上设有从顶面向下延伸的P型掺杂区二（5）和若干P型掺杂区一（4）；所述碳化硅外延层（2）的边缘设有沟槽（3）；所述沟槽的顶面设有向下延伸的P型掺杂区三（6）；所述沟槽（3）的顶面设有延伸至P型掺杂区二（5）的场氧（7）；所述碳化硅外延层（2）上设有依次经过P型掺杂区一（4）和P型掺杂区二（5）并爬升至场氧（7）顶面的肖特基接触电极（8）；所述肖特基接触电极（8）的顶面设有正面加厚金属（9）；所述场氧（7）的顶面设有爬升至正面加厚金属（9）顶面的钝化层；所述钝化层的端部与正面加厚金属（9）端部之间设有间距。
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