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申请/专利权人：爱思开海力士有限公司
摘要：提供了存储器装置及存储器装置的制造方法。存储器装置包括：源极线；位于源极线上的虚设层叠结构；位于虚设层叠结构上的主层叠结构；以及在贯穿主层叠结构和虚设层叠结构的同时与源极线接触的源极接触件。虚设层叠结构包括：位于源极线上的第一材料层；以及位于第一材料层上的第二材料层、阻挡绝缘层和虚设导电层。主层叠结构包括交替地层叠在虚设层叠结构上的绝缘层和栅极导电层。
主权项：1.一种存储器装置，所述存储器装置包括：源极线；虚设层叠结构，所述虚设层叠结构位于所述源极线上；主层叠结构，所述主层叠结构位于所述虚设层叠结构上；以及源极接触件，所述源极接触件在贯穿所述主层叠结构和所述虚设层叠结构的同时与所述源极线接触，其中，所述虚设层叠结构包括：第一材料层，所述第一材料层位于所述源极线上；以及第二材料层、阻挡绝缘层和虚设导电层，所述第二材料层、所述阻挡绝缘层和所述虚设导电层位于所述第一材料层上，并且其中，所述主层叠结构包括交替地层叠在所述虚设层叠结构上的绝缘层和栅极导电层。
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权利要求：
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