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申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：提供了三维半导体存储器装置和电子系统。一种三维半导体存储器装置，包括源极结构、布置在源极结构上并包括交替堆叠的绝缘图案和导电图案的栅极堆叠结构、贯通插塞、与贯通插塞接触的焊盘、以及焊盘下方的焊盘绝缘图案。导电图案包括与贯通插塞接触的选择导线。贯通插塞包括延伸插塞部分和平行插塞部分。焊盘的高度小于导电图案的高度。
主权项：1.一种三维半导体存储器装置，包括：源极结构，其包括单元区和延伸区；栅极堆叠结构，其位于所述源极结构上，所述栅极堆叠结构包括在第一方向上交替堆叠的绝缘图案和导电图案；贯通插塞，其在所述源极结构的所述延伸区中穿透所述栅极堆叠结构；焊盘，其与所述贯通插塞接触；以及焊盘绝缘图案，其位于所述焊盘下方，其中，所述导电图案包括与所述贯通插塞接触的选择导线，其中，所述贯通插塞包括：延伸插塞部分，其在所述第一方向上延伸；以及平行插塞部分，其在与所述第一方向相交的第二方向上延伸，并且其中，所述焊盘在所述第一方向上的截面厚度小于所述导电图案中的一个导电图案在所述第一方向上的截面厚度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三星电子株式会社 三维半导体存储器装置、其制造方法、包括其的电子系统
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