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申请/专利权人：南京邮电大学;南京邮电大学南通研究院有限公司
摘要：本发明提供了一种具有浮空场板的垂直结构共聚物有机半导体器件，包括衬底、漏极金属电极、有机半导体层、栅介质层、浮空金属场板、栅极金属电极和源极金属电极；有机半导体层顶部中心设有凹槽，凹槽内沉积有栅介质层；栅介质层顶部中心设有同轴凹槽，凹槽内嵌设有栅极金属电极；环状漏极金属电极和环状源极金属电极同轴布设在衬底表面和有机半导体层表面；位于栅极金属电极和漏极金属电极之间的有机半导体层形成为纵向漂移区；栅介质层内部嵌设有浮空金属场板，浮空金属场板的纵向长度可根据耐压要求进行选择。本发明能拓展耗尽层宽度，削弱电场峰值，对漂移区内击穿电场进行调控，从而提高器件整体的耐压性能。
主权项：1.一种具有浮空场板的垂直结构共聚物有机半导体器件，其特征在于，所述垂直结构共聚物有机半导体器件包括衬底、有机半导体层、栅介质层、浮空金属场板、漏极金属电极、栅极金属电极和源极金属电极；所述有机半导体层位于衬底上，所述有机半导体层的制备材料为共聚物；所述有机半导体层底部埋置有环形漏极金属电极；所述栅介质层与所述漏极金属电极同轴插设在有机半导体层的中心，所述栅介质层顶部中心开设有与栅介质层同轴的顶部凹槽，所述顶部凹槽内嵌圆柱形栅极金属电极；在所述栅介质层内部以及所述栅极金属电极下方埋置有金属浮空场板且所述栅极金属电极与所述金属浮空场板之间不接触；所述有机半导体层、栅介质层和栅极金属电极的顶面均位于同一水平面；源极金属电极呈环形且与所述栅极金属电极同轴布设在栅绝缘层外周的有机半导体层顶面上；漏极金属电极和源极金属电极的外径与内径均相等，且所述源极金属电极和漏极金属电极两者的内径均不小于所述栅介质层的外径；所述漏极金属电极和栅极金属电极之间竖向且呈环形的有机半导体层形成为漂移区。
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权利要求：
百度查询： 南京邮电大学 南京邮电大学南通研究院有限公司 一种具有浮空场板的垂直结构共聚物有机半导体器件及其制备方法
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