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申请/专利权人：昆明理工大学
摘要：本发明公开了一种三价铬离子掺杂的宽带近红外荧光材料的制备方法，其特征在于：首先将称好的CsCl、NaCl、ScCl3·6H2O和CrCl3放置于玛瑙研钵，滴入去离子水后，研磨至水分完全挥发产生白色粉末后转移至70℃烘箱保温20分钟后取出，将白色块体研磨至粉末状后转移至10ml的反应釜容器中，将容器密封在钢制高压釜中，再置于电热鼓风干燥箱升温、保温、降温至室温即得。本发明采用改进的固相法，制得的荧光材料结晶性、稳定性好，具有接近100％的超高宽带近红外荧光量子产率，且其近红外发光范围覆盖近红外一区和二区，在夜视照明等领域展现出极佳的应用效果和广泛的应用前景。
主权项：1.一种三价铬离子掺杂的宽带近红外荧光材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：按摩尔百分比45～55：20～30：15～25：3～10称量CsCl、NaCl、ScCl3·6H2O、CrCl3原料后放置于玛瑙研钵中；滴入去离子水或无水乙醇后，研磨该溶液体系至溶液完全挥发产生白色粉末；将粉末转移至70～120℃烘箱保温20～40分钟后取出，将白色块体研磨至粉末状，后将粉末转移至10ml或20ml的反应釜内衬中，套上不锈钢钢套后，将该反应容器放置于电热鼓风干燥箱或者马弗炉保温装置中，以3℃min的速率升温，在150～250℃下保温7～20h后，自然降温至室温后取出反应釜，研磨得到粉末状产物，即为Cr3+离子掺杂的宽带近红外荧光材料,所述Cr3+离子掺杂的宽带近红外荧光材料的基质为Cs2NaScCl6。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 昆明理工大学 一种三价铬离子掺杂的宽带近红外荧光材料的制备方法
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