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申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
摘要：本申请公开了一种暗场图形的辅助图形及其设计方法，该暗场图形为曝光透过的区域，该暗场图形是目标器件的图形，该暗场图形的密度占比在目标器件的图形中小于40％。本申请通过在暗场图形的内部增加辅助图形，从而提高了暗场图形的通光量，实现了不通过负显影技术制造小尺寸的器件，解决了相关技术中通过负显影技术制造小尺寸的器件所导致的生产成本较高的问题，在一定程度上降低了生产成本，提高了产出率。
主权项：1.一种光罩，其特征在于，所述光罩包含暗场图形和所述暗场图形的辅助图形，所述暗场图形是目标器件的图形，所述暗场图形的密度占比在所述目标器件的图形中小于40%，所述辅助图形设置于所述暗场图形的内部，所述暗场图形的版图设计尺寸小于所述暗场图形所在层使用的曝光工艺最小极限图形尺寸的150%，所述辅助图形的版图设计尺寸小于所述暗场图形所在层使用的曝光工艺最小极限图形尺寸的70%。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 暗场图形的辅助图形及其设计方法
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