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申请/专利权人：隔空微电子(深圳)有限公司
摘要：本发明提供一种共本振芯片、级联结构及工作方法，共本振芯片包括本振提供模块、驱动模块、复用匹配网络、本振选择模块、输出匹配网络及复用传输端口，其中：本振提供模块用于提供内部本振信号；本振提供模块用于提供内部本振信号；驱动模块与本振提供模块相连，用于在开启时传输内部本振信号；复用匹配网络与驱动模块相连，用于将内部本振信号经复用传输端口输出，或者，将外部本振信号经复用传输端口输入；本振选择模块与本振提供模块和复用匹配网络相连，用于从内部本振信号和外部本振信号中选择一路输出，并经输出匹配网络生成芯片本振信号。通过本发明解决了现有共本振级联方案不利于降低芯片面积和成本的问题。
主权项：1.一种共本振芯片，其特征在于，包括本振提供模块、驱动模块、复用匹配网络、本振选择模块、输出匹配网络及复用传输端口；其中：所述本振提供模块用于提供内部本振信号；所述驱动模块与所述本振提供模块相连，用于在开启时传输所述内部本振信号；所述复用匹配网络与所述驱动模块相连，用于将所述内部本振信号经所述复用传输端口输出，或者，将外部本振信号经所述复用传输端口输入；所述本振选择模块与所述本振提供模块和所述复用匹配网络相连，用于从所述内部本振信号和所述外部本振信号中选择一路输出，并经所述输出匹配网络生成芯片本振信号；其中，所述驱动模块包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管及第四MOS管；所述第一MOS管和所述第二MOS管的栅端与所述本振提供模块相连，所述第一MOS管和所述第二MOS管的源端接地，所述第一MOS管的漏端连接所述第三MOS管的源端，所述第二MOS管的漏端连接所述第四MOS管的源端；所述第三MOS管的栅端连接第一偏置电压，所述第四MOS管的栅端连接第二偏置电压，所述第三MOS管和所述第四MOS管的漏端作为所述驱动模块的输出端。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 隔空微电子(深圳)有限公司 共本振芯片、级联结构及工作方法
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